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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4025LSSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET PCH 40V 6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.349053 +200：￥1.6828 +500：￥1.628163 +1000：￥1.595381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.52W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4025LSSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET PCH 40V 6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.513624 +5000：￥3.337942 +12500：￥3.212456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.52W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4025LSSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET PCH 40V 6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.07153 +5000：￥5.767954 +12500：￥5.551114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.52W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4025LSSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET PCH 40V 6A 8SO 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.52W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP4025LSSQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1640 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.52W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）