品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 14.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 823 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装，可润湿侧翼

供应商器件封装： PowerDI3333-8（SWP）UX 类

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）