DMTH32M5LPSQ-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3944 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.542353	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3944 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.121174	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3944 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8 下载数据手册未分类	+2500：￥6.173294 +5000：￥5.879293 +12500：￥5.607916	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.2mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3944 pF @ 25 V Qualification： AEC-Q101
DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8 下载数据手册未分类	+1：￥14.917644 +10：￥12.207606 +100：￥9.497567 +500：￥8.050058 +1000：￥6.557672	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.2mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3944 pF @ 25 V Qualification： AEC-Q101
DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8 下载数据手册未分类	+1：￥14.917644 +10：￥12.207606 +100：￥9.497567 +500：￥8.050058 +1000：￥6.557672	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.2mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3944 pF @ 25 V Qualification： AEC-Q101

Mouser

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	DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 下载数据手册晶体管	+1：￥18.966563 +10：￥15.520972 +100：￥12.07538 +500：￥10.226139 +1000：￥8.329484	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3944 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH32M5LPSQ-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 30V, 170A, POWERDI 5060 下载数据手册未分类	+1：￥10.666238 +10：￥8.794517 +100：￥6.84588 +500：￥5.82028 +1000：￥5.704898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	DMTH32M5LPSQ-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 下载数据手册未分类	+2500：￥4.863463 +5000：￥4.769028 +7500：￥4.674592 +10000：￥4.627374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH32M5LPSQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	170A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	68 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3944 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）