DMN3016LSS-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMN3016LSS-13 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.089152 +100：￥8.216208 +200：￥6.34248 +500：￥5.3856 +800：￥4.844016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12mOhm 12A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016lss-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC 下载数据手册	+1：￥1.399858 +10：￥1.177811 +30：￥1.082648 +100：￥0.98738 +500：￥0.923938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12mOhm 12A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.017489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12mOhm 12A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.500612 +5000：￥2.339365	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12mOhm 12A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.042932 +10：￥6.05445 +100：￥4.51736 +500：￥3.54939 +1000：￥2.742666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.863341 +10：￥1.432896 +30：￥1.353834 +100：￥1.274773 +500：￥1.239491	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12mOhm 12A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

DMN3016LSS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.3A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12mOhm 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1415 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.5W (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
温度:	-55°C # 150°C (TJ)