DMTH6004SPS-13厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.030615 +200：￥5.60569 +500：￥5.419926 +1000：￥5.32158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.691016 +5000：￥5.477096 +12500：￥5.295745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.834058 +5000：￥9.464405 +12500：￥9.15103	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管	+1：￥27.701868 +10：￥23.111273 +100：￥18.362382 +250：￥16.937714 +500：￥15.37058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6004SPS-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 25A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥18.354466 +5000：￥18.170844 +10000：￥17.988802 +15000：￥17.808344 +20000：￥17.631052	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH6004SPS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4556 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta），167W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）