DN2535N3-G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN2535N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+25：￥9.743771	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 欧姆 120mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92（TO-226）封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DN2535N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+250：￥7.750867 +500：￥7.520298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 欧姆 120mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92（TO-226）封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DN2535N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.334827 +25：￥5.360238 +100：￥4.942557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 欧姆 120mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92（TO-226）封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN2535N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.94656 +25：￥9.262472 +100：￥8.540723	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 欧姆 120mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92（TO-226）封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	DN2535N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 下载数据手册未分类	+1：￥14.397574 +25：￥12.182563 +100：￥11.233271	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 欧姆 120mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92（TO-226）封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DN2535N3-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	袋
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 欧姆 120mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	300 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92（TO-226）
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）