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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3545N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 136mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92（TO-226）封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3545N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.502617 +25：￥8.837027 +100：￥8.019058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 136mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92（TO-226）封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3545N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥14.168171 +25：￥11.964234 +100：￥10.862266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 136mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92（TO-226）封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3545N3-G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag 下载数据手册未分类	+1000：￥8.70074	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DN3545N3-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	袋
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	136mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 欧姆 150mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	360 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	740mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92（TO-226）
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）