DMT10H014LSS-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1871 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.931195	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1871 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.793093	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1871 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO 下载数据手册未分类	+2500：￥6.122725 +5000：￥5.831131 +12500：￥5.562054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 15mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1871 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥14.803613 +10：￥12.11657 +100：￥9.419575 +500：￥7.984248 +1000：￥6.504011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 15mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1871 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥14.803613 +10：￥12.11657 +100：￥9.419575 +500：￥7.984248 +1000：￥6.504011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 15mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1871 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥18.821583 +10：￥15.405229 +100：￥11.973059 +500：￥10.154165 +1000：￥8.272008	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1871 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H014LSS-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥7.734249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT10H014LSS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1871 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）