DMTH4007LPSQ-13厂家价格_数据手册

搜索 DMTH4007LPSQ-13 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.6152 +10：￥7.32292 +30：￥6.03064 +100：￥5.3845 +500：￥4.95374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1895 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.769599 +10：￥4.709653 +30：￥4.185144 +100：￥3.660635 +500：￥3.354672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1895 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 下载数据手册未分类	+2500：￥3.601589	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1895 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.627726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1895 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.428115	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1895 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.106267 +10：￥13.542636 +100：￥10.561136 +500：￥8.724001 +1000：￥6.887266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.106267 +10：￥13.542636 +100：￥10.561136 +500：￥8.724001 +1000：￥6.887266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 下载数据手册未分类	+2500：￥6.625282 +10000：￥6.051547 +25000：￥5.983245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1895 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH4007LPSQ-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 15.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥5.969603 +5000：￥5.839673 +10000：￥5.768284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH4007LPSQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15.5A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1895 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.7W（Ta），150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）