锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 DMN3009SSS-13 共 6 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN3009SSS-13_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.

晶体管-FET，MOSFET-单个
+2500：

￥1.333984

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN3009SSS-13_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.

晶体管-FET，MOSFET-单个
+2500：

￥2.30512

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3009SSS-13_未分类
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2

下载数据手册

未分类
+2500：

￥2.64257

+5000：

￥2.460328

+12500：

￥2.369147

+25000：

￥2.278086

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.5mOhm @ 15A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.4W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SO

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 42 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2000 pF @ 15 V

DMN3009SSS-13_未分类
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2

下载数据手册

未分类
+1：

￥6.84759

+10：

￥6.018672

+100：

￥4.610711

+500：

￥3.644842

+1000：

￥2.915873

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.5mOhm @ 15A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.4W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SO

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 42 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2000 pF @ 15 V

DMN3009SSS-13_未分类
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2

下载数据手册

未分类
+1：

￥6.84759

+10：

￥6.018672

+100：

￥4.610711

+500：

￥3.644842

+1000：

￥2.915873

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.5mOhm @ 15A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.4W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SO

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 42 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2000 pF @ 15 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN3009SSS-13_晶体管
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.

下载数据手册

晶体管
+1：

￥8.875056

+10：

￥7.924158

+100：

￥5.404277

+500：

￥4.516771

+1000：

￥3.835294

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3009SSS-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.5 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.4W（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度: -55°C # 150°C（TJ）