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	DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.565539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2711 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.705245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2711 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥2.691889 +5000：￥2.550211 +12500：￥2.361307 +25000：￥2.337881	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 18mOhm @ 6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2711 pF @ 15 V
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥7.102609 +10：￥6.143136 +100：￥4.250351 +500：￥3.551305 +1000：￥3.022472	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 18mOhm @ 6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2711 pF @ 15 V
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥7.102609 +10：￥6.143136 +100：￥4.250351 +500：￥3.551305 +1000：￥3.022472	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 18mOhm @ 6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2711 pF @ 15 V

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	DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 下载数据手册晶体管	+1：￥9.030428 +10：￥7.810529 +100：￥5.418257 +500：￥4.515213 +1000：￥3.849815	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2711 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN6017SK3-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 60V, 43A, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥5.384399 +10：￥4.66648 +100：￥3.23064 +500：￥2.70502 +1000：￥2.102481	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN6017SK3-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 60V, 43A, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥5.497863 +10：￥4.759344 +100：￥3.305749 +500：￥2.754793 +1000：￥2.133498	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN6017SK3-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	55 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2711 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252，（D-Pak）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）