搜索 DMN10H170SVT-7 共 14 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMN10H170SVT-7 授权代理品牌 | +5: ¥1.396177 +50: ¥1.152937 +150: ¥1.04869 +500: ¥0.839761 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMN10H170SVT-7 授权代理品牌 | +3000: ¥0.69064 | ||||
DMN10H170SVT-7 授权代理品牌 | +3000: ¥0.902948 +9000: ¥0.878984 +30000: ¥0.863125 | ||||
DMN10H170SVT-7 授权代理品牌 | +3000: ¥1.118266 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMN10H170SVT-7 授权代理品牌 | +3000: ¥0.8964 |
自营 国内现货
Digi-Key
DMN10H170SVT-7参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 160 毫欧 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9.7 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1167 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.2W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TSOT-23 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |