品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 5.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 950 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-TSOP(0.130,3.30mm 宽)
温度: -