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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3125L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.659472 +100：￥2.613024 +200：￥1.998 +500：￥1.696464 +800：￥1.525968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 254 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMP3125L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.924997 +50：￥0.774535 +150：￥0.699305 +500：￥0.642883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 254 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3125L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.367598 +100：￥0.348722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 254 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3125L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.617159 +6000：￥0.555436 +15000：￥0.493714 +30000：￥0.462886 +75000：￥0.410412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 254 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3125L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.876737 +6000：￥0.838234 +9000：￥0.724966 +30000：￥0.711383 +75000：￥0.58902	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 254 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3125L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.856538 +10：￥4.062196 +100：￥2.052281 +500：￥1.673724 +1000：￥1.241837	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
DMP3125L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.856538 +10：￥4.062196 +100：￥2.052281 +500：￥1.673724 +1000：￥1.241837	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3125L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥6.666682 +10：￥4.993209 +100：￥2.870755 +500：￥1.931977 +1000：￥1.482997	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 254 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3125L-7 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥0.712031 +10：￥0.700547 +25：￥0.690338 +100：￥0.677578 +250：￥0.667369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3125L-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+3000：￥0.445645 +9000：￥0.429763 +15000：￥0.422288 +60000：￥0.402668 +90000：￥0.390525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP3125L-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	95 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.1 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	254 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	650mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）