DMG6402LVT-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.601201 +10：￥0.554954 +30：￥0.54571 +100：￥0.517953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.889136 +100：￥1.348704 +200：￥1.031328 +500：￥0.875808 +800：￥0.787536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.378656 +50：￥1.148976 +150：￥0.919152 +500：￥0.765936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.804991 +50：￥0.656935 +150：￥0.582906 +500：￥0.527384 +3000：￥0.482967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.825099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.869723 +200：￥0.561564 +1500：￥0.487707 +3000：￥0.431678 +45000：￥0.427858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.466986	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.930731 +300：￥0.907463 +9100：￥0.89195	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.615424 +6000：￥0.601677 +9000：￥0.532945 +30000：￥0.526036 +75000：￥0.44694	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.063451 +6000：￥1.039696 +9000：￥0.920927 +30000：￥0.908988 +75000：￥0.77231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG6402LVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	498 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.75W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSOT-23
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.869723 +200：￥0.561564 +1500：￥0.487707 +3000：￥0.431678 +45000：￥0.427858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.466986	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.930731 +300：￥0.907463 +9100：￥0.89195	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 498 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）