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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6015LFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.251575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1103 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6015LFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.061686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1103 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6015LFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥8.836555 +10：￥7.658347 +100：￥5.722721 +500：￥4.502436 +1000：￥3.478517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1103 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMT6015LFV-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.5A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1103 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.2W（Ta），30W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8（UX 类）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）