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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN2320UFB4-7B_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
+10000：

￥0.633687

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 320 毫欧 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.89 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 71 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： X2-DFN1006-3

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN2320UFB4-7B_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
+10000：

￥1.550165

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 320 毫欧 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.89 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 71 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： X2-DFN1006-3

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2320UFB4-7B_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
+10000：

￥1.84178

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 3-XFDFN

供应商器件封装： X2-DFN1006-3

DMN2320UFB4-7B_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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￥6.233719

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￥5.312829

+25：

￥4.95864

+100：

￥3.683562

+250：

￥3.499383

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 3-XFDFN

供应商器件封装： X2-DFN1006-3

DMN2320UFB4-7B_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 3-XFDFN

供应商器件封装： X2-DFN1006-3

DMN2320UFB4-7B_未分类
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

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未分类
+10000：

￥1.972295

+30000：

￥1.869996

+50000：

￥1.85052

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 3-XFDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 320mOhm @ 500mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 520mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 950mV @ 250µA

Supplier Device Package： X2-DFN1006-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.89 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 71 pF @ 10 V

DMN2320UFB4-7B_未分类
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

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未分类
+1：

￥6.360534

+10：

￥5.47271

+100：

￥4.090619

+500：

￥3.21419

+1000：

￥2.483525

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 3-XFDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 320mOhm @ 500mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 520mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 950mV @ 250µA

Supplier Device Package： X2-DFN1006-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.89 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 71 pF @ 10 V

DMN2320UFB4-7B_未分类
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

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未分类
+1：

￥6.360534

+10：

￥5.47271

+100：

￥4.090619

+500：

￥3.21419

+1000：

￥2.483525

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 3-XFDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 320mOhm @ 500mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 520mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 950mV @ 250µA

Supplier Device Package： X2-DFN1006-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.89 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 71 pF @ 10 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN2320UFB4-7B_未分类
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

未分类
+1：

￥6.55698

+10：

￥5.655395

+100：

￥4.221056

+500：

￥3.319471

+1000：

￥2.568151

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 320 毫欧 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.89 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 71 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： X2-DFN1006-3

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2320UFB4-7B参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 320 毫欧 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.89 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 71 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 520mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: X2-DFN1006-3
封装/外壳: 3-XFDFN
温度: -55°C # 150°C（TJ）