DMP31D0UFB4-7B厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.51371 +100：￥1.02366 +1000：￥0.75141 +10000：￥0.5445 +20000：￥0.517275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 76 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.665654 +30000：￥0.610557 +50000：￥0.587642	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 76 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥1.628366 +30000：￥1.493584 +50000：￥1.437528	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 76 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.515089 +10：￥5.279937 +100：￥3.594157 +500：￥2.695347 +1000：￥2.021442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3
DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.515089 +10：￥5.279937 +100：￥3.594157 +500：￥2.695347 +1000：￥2.021442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3

Mouser

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	DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.648347 +10：￥5.187575 +100：￥4.206591 +500：￥3.159099 +1000：￥2.161489	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 540mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 76 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP31D0UFB4-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	540mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	76 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	460mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X2-DFN1006-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）