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Digi-Key
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DMNH6042SK3Q-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+2500:

¥4.211921

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¥3.790704

+12500:

¥3.509852

+25000:

¥3.453756

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 584 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252-3

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

DMNH6042SK3Q-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥10.50262

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¥9.267018

+25:

¥8.703583

+100:

¥6.317635

+250:

¥6.093002

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

供应商器件封装: TO-252-4L

DMNH6042SK3Q-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
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系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

供应商器件封装: TO-252-4L

Mouser
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DMNH6042SK3Q-13_未分类
DMNH6042SK3Q-13
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MOSFET NCH 60V 25A TO252

未分类

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¥14.100141

+10:

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¥8.507613

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 584 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252-3

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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DMNH6042SK3Q-13
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Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥4.609942

+5000:

¥4.47363

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¥4.373572

+25000:

¥4.343119

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货期:7~10 天

暂无参数

DMNH6042SK3Q-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 584 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)