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搜索 DMN10H120SFG-13 共 7 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN10H120SFG-13_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
+1：

￥2.128632

+200：

￥0.823807

+500：

￥0.79485

+1000：

￥0.780535

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 549 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PowerDI3333-8

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN10H120SFG-13_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
+3000：

￥1.946863

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 549 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PowerDI3333-8

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN10H120SFG-13_晶体管-FET，MOSFET-单个
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
+3000：

￥3.364174

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 549 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PowerDI3333-8

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN10H120SFG-13_未分类
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333

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未分类
+3000：

￥2.973416

+6000：

￥2.76847

+15000：

￥2.665876

+30000：

￥2.563403

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerVDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 3.3A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： POWERDI3333-8

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10.6 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 549 pF @ 50 V

DMN10H120SFG-13_未分类
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333

下载数据手册

未分类
+1：

￥7.808656

+10：

￥6.835577

+100：

￥5.240208

+500：

￥4.142432

+1000：

￥3.313874

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-PowerVDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 3.3A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： POWERDI3333-8

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10.6 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 549 pF @ 50 V

DMN10H120SFG-13_未分类
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333

下载数据手册

未分类
+1：

￥7.808656

+10：

￥6.835577

+100：

￥5.240208

+500：

￥4.142432

+1000：

￥3.313874

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-PowerVDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 3.3A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： POWERDI3333-8

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10.6 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 549 pF @ 50 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DMN10H120SFG-13_未分类
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

未分类
+1：

￥10.297856

+10：

￥8.872

+100：

￥6.147029

+500：

￥5.133086

+1000：

￥4.372628

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 549 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PowerDI3333-8

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN10H120SFG-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.6 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 549 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: -55°C # 150°C（TJ）