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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 22A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥13.833688 +200：￥9.355115 +800：￥6.867113 +2500：￥4.976125 +5000：￥4.727349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4515 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），105W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 22A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.508839 +10：￥14.339226 +30：￥11.949355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4515 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），105W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 22A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.741197 +10：￥12.413379 +30：￥12.205761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4515 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），105W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 22A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.445945 +100：￥8.708581 +1250：￥7.906811 +2500：￥7.327766 +37500：￥7.305424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4515 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），105W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 22A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4515 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），105W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 22A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.100337 +5000：￥8.666995 +12500：￥8.266942	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4515 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），105W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 22A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.002885 +10：￥18.00236 +100：￥14.000408 +500：￥11.866985 +1000：￥9.666982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 22A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.002885 +10：￥18.00236 +100：￥14.000408 +500：￥11.866985 +1000：￥9.666982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 22A 下载数据手册晶体管	+1：￥25.152604 +10：￥20.416074 +100：￥15.989871 +500：￥13.556273 +1000：￥11.041013	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4515 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），105W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6004LPS-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin PowerDI 5060 T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥8.602342 +5000：￥8.441742 +10000：￥8.276761	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT6004LPS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Ta），90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	96.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4515 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta），105W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）