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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMP3013SFK-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-

晶体管-FET,MOSFET-单个

+10000:

¥2.450694

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 9.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1674 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta),19.5W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: U-DFN2523-6

封装/外壳: 6-PowerUDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMP3013SFK-13_晶体管
DMP3013SFK-13
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 9.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1674 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta),19.5W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: U-DFN2523-6

封装/外壳: 6-PowerUDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMP3013SFK-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.7 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1674 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1W(Ta),19.5W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2523-6
封装/外壳: 6-PowerUDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)