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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.326169 +200：￥2.249269 +800：￥1.651045 +3000：￥1.196448 +6000：￥1.136674	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.472039 +10：￥2.98144 +30：￥2.484493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥2.72089 +10：￥2.163599 +30：￥1.934127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册未分类	+1000：￥3.212036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.185659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.900436	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册未分类	+3000：￥2.559157 +6000：￥2.510966	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 20mOhm @ 8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI3333-8 (Type UX) Grade： - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1931 pF @ 15 V Qualification： -
DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥9.63814 +10：￥6.716101 +100：￥4.588062 +500：￥3.80263 +1000：￥3.443264	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 20mOhm @ 8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI3333-8 (Type UX) Grade： - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1931 pF @ 15 V Qualification： -
DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥9.63814 +10：￥6.716101 +100：￥4.588062 +500：￥3.80263 +1000：￥3.443264	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 20mOhm @ 8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI3333-8 (Type UX) Grade： - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1931 pF @ 15 V Qualification： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥9.473059 +10：￥8.101099 +100：￥5.634837 +500：￥4.393541 +1000：￥3.576898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP3036SFV-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1931 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）