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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.531726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，3.3V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 5A，3.3V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 3.3 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1503 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.47W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X3-DSN1010-3 封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.275388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，3.3V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 5A，3.3V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 3.3 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1503 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.47W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X3-DSN1010-3 封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.119936	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，3.3V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 5A，3.3V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 3.3 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1503 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.47W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X3-DSN1010-3 封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3 下载数据手册未分类	+3000：￥2.794654 +6000：￥2.652634 +9000：￥2.463181 +30000：￥2.406315	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 3-XDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 17mOhm @ 5A, 3.3V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.47W Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： X3-DSN1010-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 3.3V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 16 nC @ 3.3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1503 pF @ 6 V
DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.286801 +10：￥7.086645 +100：￥4.92636 +500：￥3.846218 +1000：￥3.126269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 3-XDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 17mOhm @ 5A, 3.3V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.47W Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： X3-DSN1010-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 3.3V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 16 nC @ 3.3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1503 pF @ 6 V
DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.286801 +10：￥7.086645 +100：￥4.92636 +500：￥3.846218 +1000：￥3.126269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 3-XDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 17mOhm @ 5A, 3.3V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.47W Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： X3-DSN1010-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 3.3V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 16 nC @ 3.3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1503 pF @ 6 V

Mouser

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	DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3 下载数据手册未分类	+1：￥9.30973 +10：￥8.101099 +100：￥5.634837 +500：￥4.393541 +1000：￥3.576898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，3.3V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 5A，3.3V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 3.3 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1503 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.47W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X3-DSN1010-3 封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN1017UCP3-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，3.3V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17 毫欧 5A，3.3V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 3.3 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1503 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.47W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X3-DSN1010-3
封装/外壳:	3-XDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）