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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMT8012LFG-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥2.695076

+6000:

¥2.560343

+15000:

¥2.464056

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta),35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1949 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.2W(Ta),30W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI3333-8

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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DMT8012LFG-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥4.657084

+6000:

¥4.424264

+15000:

¥4.25788

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta),35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1949 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.2W(Ta),30W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI3333-8

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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DMT8012LFG-13_晶体管
DMT8012LFG-13
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

晶体管

+3000:

¥6.257052

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta),35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1949 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.2W(Ta),30W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI3333-8

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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DMT8012LFG-13_未分类
DMT8012LFG-13
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

未分类

+3000:

¥8.290048

+6000:

¥8.20758

+9000:

¥8.125113

+12000:

¥8.044044

+15000:

¥7.964372

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DMT8012LFG-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1949 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.2W(Ta),30W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)