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	DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.597805 +100：￥1.08053 +800：￥0.793155 +3000：￥0.57475 +6000：￥0.546073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册	+5：￥0.981168 +50：￥0.808605 +150：￥0.722323 +500：￥0.657612	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.98074 +10：￥0.871808 +30：￥0.735671 +100：￥0.642945 +300：￥0.588421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.203351 +200：￥0.830712 +1500：￥0.75593 +3000：￥0.70592 +45000：￥0.698858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.80015 +500：￥0.750141 +1000：￥0.712634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.512277 +6000：￥1.478536 +9000：￥1.309526 +30000：￥1.292655 +75000：￥1.098263	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.809962 +10：￥4.859835 +100：￥2.450039 +500：￥2.17114 +1000：￥1.689645	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1010-3
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.809962 +10：￥4.859835 +100：￥2.450039 +500：￥2.17114 +1000：￥1.689645	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1010-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥8.04424 +10：￥5.648456 +100：￥2.535684 +1000：￥1.976085 +3000：￥1.486437	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1045UFR4-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 12V, 3.2A, X2-DFN1010 下载数据手册未分类	+5：￥4.817502 +10：￥3.381149 +100：￥1.525331 +500：￥1.207554 +1000：￥0.888506	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN1045UFR4-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 3.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	375 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X2-DFN1010-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.98074 +10：￥0.871808 +30：￥0.735671 +100：￥0.642945 +300：￥0.588421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.203351 +200：￥0.830712 +1500：￥0.75593 +3000：￥0.70592 +45000：￥0.698858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.80015 +500：￥0.750141 +1000：￥0.712634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 3.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 375 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1010-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）