DMG4466SSSL-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.42915	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 478.9 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.42W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.469568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 478.9 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.42W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.663178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 下载数据手册未分类	+2500：￥2.435294 +5000：￥2.311538 +12500：￥2.146446 +25000：￥2.096893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 478.9 pF @ 15 V
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥7.221221 +10：￥6.175388 +100：￥4.292892 +500：￥3.351642 +1000：￥2.724269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 478.9 pF @ 15 V
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥7.221221 +10：￥6.175388 +100：￥4.292892 +500：￥3.351642 +1000：￥2.724269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 478.9 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥7.950328 +10：￥6.850533 +100：￥5.114711 +500：￥4.028167 +1000：￥3.113878	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 478.9 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.42W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG4466SSSL-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥2.268802 +5000：￥2.201172 +10000：￥2.141198 +25000：￥2.072291	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMG4466SSSL-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	478.9 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.42W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）