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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMPH2040UVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 0.59 宽 x 2.64 长（15.0mm x 67.0mm）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： NHD-1.5-128128G，SSD1357 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 834 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMPH2040UVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.149529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 0.59 宽 x 2.64 长（15.0mm x 67.0mm）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： NHD-1.5-128128G，SSD1357 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 834 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMPH2040UVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.812052	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 0.59 宽 x 2.64 长（15.0mm x 67.0mm）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： NHD-1.5-128128G，SSD1357 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 834 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	DMPH2040UVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥9.124818 +10：￥7.837569 +100：￥5.458597 +500：￥4.269112 +1000：￥3.470691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 0.59 宽 x 2.64 长（15.0mm x 67.0mm）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： NHD-1.5-128128G，SSD1357 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 834 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

DMPH2040UVTQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	0.59 宽 x 2.64 长（15.0mm x 67.0mm）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	NHD-1.5-128128G，SSD1357
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	834 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSOT-23
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 175°C（TJ）