DMTH43M8LK3-13厂家价格_数据手册

搜索 DMTH43M8LK3-13 共 6 条相关记录

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH43M8LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.956316	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2693 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH43M8LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥5.293164 +5000：￥5.02852 +12500：￥4.83943 +25000：￥4.688321	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.6mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 88W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 38.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2693 pF @ 20 V
DMTH43M8LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥12.478055 +10：￥11.147978 +100：￥8.696245 +500：￥7.183521 +1000：￥5.671345	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.6mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 88W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 38.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2693 pF @ 20 V
DMTH43M8LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥12.478055 +10：￥11.147978 +100：￥8.696245 +500：￥7.183521 +1000：￥5.671345	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.6mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 88W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 38.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2693 pF @ 20 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2693 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LK3-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥5.167183 +5000：￥5.051532 +10000：￥4.941591	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH43M8LK3-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.6 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2693 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	88W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252，（D-Pak）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）