DMTH10H025LPSQ-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.09371	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1477 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.545994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1477 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1477 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.67886	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1477 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.62906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1477 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 下载数据手册未分类	+2500：￥4.671722 +5000：￥4.449295 +12500：￥4.243909 +25000：￥4.235824	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 9.3A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1477 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101
DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 下载数据手册未分类	+1：￥11.32041 +10：￥9.242928 +100：￥7.187839 +500：￥6.092123 +1000：￥4.962694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 9.3A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1477 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101
DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 下载数据手册未分类	+1：￥11.32041 +10：￥9.242928 +100：￥7.187839 +500：￥6.092123 +1000：￥4.962694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 9.3A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1477 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 下载数据手册晶体管	+1：￥14.416999 +10：￥11.771243 +100：￥9.157171 +500：￥7.762999 +1000：￥6.321301	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1477 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥5.902702	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH10H025LPSQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.3A（Ta），45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1477 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），79W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）