DMP2010UFG-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMP2010UFG-7 共 8 条相关记录

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.862687 +6000：￥1.73424 +10000：￥1.669988	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.7A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3350 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.556627 +6000：￥4.24241 +10000：￥4.085232	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.7A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3350 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.808597 +10：￥10.36985 +100：￥7.951123 +500：￥6.284889 +1000：￥5.02802	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8
DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.808597 +10：￥10.36985 +100：￥7.951123 +500：￥6.284889 +1000：￥5.02802	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥16.251235 +10：￥10.878379 +100：￥7.512051 +500：￥6.003008 +1000：￥5.522104	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.7A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3350 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2010UFG-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2000：￥2.517388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2010UFG-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, P-CH, 20V, 42A, POWERDI 3333 下载数据手册未分类	+1：￥8.346083 +10：￥6.519585 +100：￥4.426723 +500：￥3.526156 +1000：￥2.815854	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2010UFG-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, P-CH, 20V, 42A, POWERDI 3333 下载数据手册未分类	+1：￥8.998747 +10：￥7.015351 +100：￥4.762604 +500：￥3.79539 +1000：￥3.024069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP2010UFG-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12.7A（Ta），42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.5 毫欧 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	103 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3350 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	900mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）