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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.105744 +100：￥4.973616 +200：￥3.989088 +500：￥3.561696 +800：￥3.305952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2147 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.942224 +10：￥3.29472 +30：￥2.745648	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2147 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.403999 +10：￥1.934127 +30：￥1.737436	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2147 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.329848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2147 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.297972	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2147 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8 (Type UX)
DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8 (Type UX)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管	+3000：￥3.08828 +9000：￥2.834881	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2147 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP3018SFV-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	51 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2147 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8（UX 类）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）