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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥3.079584 +100：￥2.508624 +300：￥2.065824 +1000：￥1.682352 +10000：￥1.283184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.705824 +50：￥1.421568 +150：￥1.137168 +500：￥0.947664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.705824 +50：￥1.421568 +150：￥1.137168 +500：￥0.947664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.740875 +50：￥0.658468 +150：￥0.617264 +500：￥0.586361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.568076 +30000：￥0.531426 +50000：￥0.47645 +100000：￥0.469094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.981632 +30000：￥0.918301 +50000：￥0.823304 +100000：￥0.810593	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.084978 +10：￥3.859961 +100：￥2.40612 +500：￥1.646609 +1000：￥1.266622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X4-DSN1006-3
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.084978 +10：￥3.859961 +100：￥2.40612 +500：￥1.646609 +1000：￥1.266622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X4-DSN1006-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.095252 +10：￥4.650942 +100：￥2.90187 +500：￥1.987582 +1000：￥1.378057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP2078LCA3-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	78 毫欧 500mA，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	228 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	810mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X4-DSN1006-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥3.079584 +100：￥2.508624 +300：￥2.065824 +1000：￥1.682352 +10000：￥1.283184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.705824 +50：￥1.421568 +150：￥1.137168 +500：￥0.947664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.705824 +50：￥1.421568 +150：￥1.137168 +500：￥0.947664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，8V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 500mA，8V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 810mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X4-DSN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）