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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN6040SFDEQ-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

晶体管-FET,MOSFET-单个

+10000:

¥2.031206

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 38 毫欧 4.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.4 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1287 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 660mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: U-DFN2020-6(E 类)

封装/外壳: 6-PowerUDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN6040SFDEQ-13_晶体管
DMN6040SFDEQ-13
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

晶体管

+10000:

¥2.811146

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 38 毫欧 4.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.4 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1287 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 660mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: U-DFN2020-6(E 类)

封装/外壳: 6-PowerUDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN6040SFDEQ-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 38 毫欧 4.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.4 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1287 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 660mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6(E 类)
封装/外壳: 6-PowerUDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)