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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2104LP-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.701664 +100：￥3.01536 +200：￥2.418336 +500：￥2.159424 +800：￥2.004336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2104LP-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.081144 +50：￥0.959961 +150：￥0.908056 +500：￥0.825883 +3000：￥0.797035	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP2104LP-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.644269	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2104LP-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.865303 +6000：￥0.829367 +9000：￥0.746446 +30000：￥0.735394 +75000：￥0.691115	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2104LP-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.49524 +6000：￥1.433143 +9000：￥1.289855 +30000：￥1.270758 +75000：￥1.194245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2104LP-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.564622 +10：￥4.299935 +100：￥2.57996 +500：￥2.38874 +1000：￥1.624238	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XDFN 供应商器件封装： 3-DFN1411 (1.4x1.1)
DMP2104LP-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.564622 +10：￥4.299935 +100：￥2.57996 +500：￥2.38874 +1000：￥1.624238	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XDFN 供应商器件封装： 3-DFN1411 (1.4x1.1)

Mouser

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	DMP2104LP-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2104LP-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.602409 +10：￥4.370965 +25：￥4.32342 +100：￥2.649839 +250：￥2.621312	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP2104LP-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 950mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	320 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	3-DFN1411（1.4x1.1）
封装/外壳:	3-XDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）