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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6350SQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.506543 +50：￥1.31018 +150：￥1.22604 +500：￥1.121028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 206 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP6350SQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 下载数据手册	+1：￥3.5424 +100：￥3.1104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 206 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP6350SQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.170677	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 206 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP6350SQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.022926	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 206 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP6350SQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 下载数据手册未分类	+3000：￥1.928676 +6000：￥1.830652 +9000：￥1.699829 +30000：￥1.660619 +75000：￥1.618327	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 350mOhm @ 900mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 720mW Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 206 pF @ 30 V Qualification： AEC-Q101
DMP6350SQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥5.671847 +10：￥4.895051 +100：￥3.39941 +500：￥2.654425 +1000：￥2.157522	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 350mOhm @ 900mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 720mW Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 206 pF @ 30 V Qualification： AEC-Q101
DMP6350SQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥5.671847 +10：￥4.895051 +100：￥3.39941 +500：￥2.654425 +1000：￥2.157522	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 350mOhm @ 900mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 720mW Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 206 pF @ 30 V Qualification： AEC-Q101

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6350SQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥7.21129 +10：￥6.223658 +100：￥4.326773 +500：￥3.386171 +1000：￥2.743426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 206 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP6350SQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	350 毫欧 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	206 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	720mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）