DMN3016LPS-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.242525 +10：￥1.146935 +30：￥1.127829 +100：￥1.070475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.86848 +100：￥2.336688 +200：￥1.874016 +500：￥1.67328 +800：￥1.553184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册	+1：￥2.514015 +200：￥0.972951 +500：￥0.93879 +1000：￥0.921816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.860673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+40：￥2.585088 +100：￥1.976832 +1250：￥1.674605 +2500：￥1.419898	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.11941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.915183	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.43665 +10：￥4.633508 +25：￥4.324608 +100：￥3.212566 +250：￥3.051938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
	DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.934335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.18W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3016LPS-13参数规格

属性	参数值
系列:	-
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	PowerDI5060-8