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DMN3026LVTQ-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.11941

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 6.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 643 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.2W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TSOT-23

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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DMN3026LVTQ-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.934335

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 6.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 643 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.2W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TSOT-23

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN3026LVTQ-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-26

DMN3026LVTQ-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-26

Mouser
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DMN3026LVTQ-7_未分类
DMN3026LVTQ-7
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

未分类

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¥6.530627

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¥5.632666

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¥4.204091

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¥3.30613

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¥2.557829

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 6.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 643 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.2W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TSOT-23

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN3026LVTQ-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 6.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.5 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 643 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.2W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TSOT-23
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)