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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMN22M5UFG-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333

晶体管-FET,MOSFET-单个

+2000:

¥3.973998

+6000:

¥3.699958

+10000:

¥3.562878

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 13.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 99 nC 10 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI3333-8

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMN22M5UFG-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥10.298702

+10:

¥9.043918

+100:

¥6.934459

+500:

¥5.481277

+1000:

¥4.385117

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PowerDI3333-8

DMN22M5UFG-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
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MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333

晶体管-FET,MOSFET-单个

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PowerDI3333-8

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DMN22M5UFG-7_未分类
DMN22M5UFG-7
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MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333

未分类

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¥6.61226

+1000:

¥5.292529

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 13.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 99 nC 10 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI3333-8

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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DMN22M5UFG-7
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¥4.083547

+10000:

¥3.696365

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DMN22M5UFG-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 13.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 99 nC 10 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 600mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)