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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.388384 +100：￥1.945584 +200：￥1.560384 +500：￥1.393344 +800：￥1.293264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 530mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN2015H4-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.22292 +200：￥0.473255 +500：￥0.456622 +1000：￥0.448405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 530mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN2015H4-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.131465 +6000：￥1.058468 +15000：￥0.98547 +30000：￥0.934371 +75000：￥0.912472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 530mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN2015H4-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.955168 +6000：￥1.829028 +15000：￥1.702888 +30000：￥1.61459 +75000：￥1.576748	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 530mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN2015H4-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.526126 +10：￥4.733248 +100：￥3.531916 +500：￥2.775077 +1000：￥2.144378	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： DFN2015H4-3
DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.526126 +10：￥4.733248 +100：￥3.531916 +500：￥2.775077 +1000：￥2.144378	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： DFN2015H4-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 下载数据手册晶体管	+1：￥7.268294 +10：￥6.225452 +100：￥4.645389 +500：￥3.649948 +1000：￥2.828314	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 530mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN2015H4-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP2069UFY4-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	54 毫欧 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.1 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	214 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	530mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DFN2015H4-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）