DMTH6005LPS-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.154536 +5000：￥3.956722 +12500：￥3.774118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.6A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2962 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.179024 +5000：￥6.837202 +12500：￥6.521663	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.6A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2962 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.357707 +10：￥14.196125 +100：￥11.044462 +500：￥9.361756 +1000：￥7.626109	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.357707 +10：￥14.196125 +100：￥11.044462 +500：￥9.361756 +1000：￥7.626109	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Mouser

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	DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 下载数据手册晶体管	+1：￥22.068905 +10：￥18.128031 +100：￥14.045283 +500：￥11.901445 +1000：￥9.710319	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.6A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2962 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	DMTH6005LPS-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2500：￥4.603996	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMTH6005LPS-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2500：￥4.603996	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH6005LPS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20.6A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.5 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2962 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）