DMP25H18DLFDE-7厂家价格_数据手册

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	DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.173993 +6000：￥3.975252 +9000：￥3.791793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 81 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.212646 +6000：￥6.869222 +9000：￥6.552206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 81 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.438998 +10：￥14.26261 +100：￥11.096186 +500：￥9.4056 +1000：￥7.661825	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type E)
DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.438998 +10：￥14.26261 +100：￥11.096186 +500：￥9.4056 +1000：￥7.661825	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type E)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 下载数据手册未分类	+1：￥17.737808 +10：￥15.568094 +100：￥13.46173 +500：￥11.941346 +1000：￥9.739958	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 81 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP25H18DLFDE-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	81 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	600mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳:	6-PowerUDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）