DMP2021UFDF-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.79672 +100：￥4.138848 +200：￥3.164688 +500：￥2.687328 +800：￥2.416896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16mOhm 7A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2760 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 730mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.227377 +6000：￥2.094735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16mOhm 7A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2760 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 730mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.502584 +6000：￥3.318166 +9000：￥3.07244 +30000：￥3.042036	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16mOhm 7A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2760 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 730mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 温度： -55°C # 150°C (TJ)
DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.220932 +10：￥7.987321 +100：￥5.530068 +500：￥4.620934 +1000：￥3.932604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)
DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.220932 +10：￥7.987321 +100：￥5.530068 +500：￥4.620934 +1000：￥3.932604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥11.723713 +10：￥9.93347 +100：￥7.018385 +500：￥5.861856 +1000：￥4.5469	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16mOhm 7A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2760 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 730mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2021UFDF-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥11.314967 +10：￥9.651468 +25：￥9.464523 +100：￥6.896396 +250：￥6.772822	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP2021UFDF-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16mOhm 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2760 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	730mW (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	U-DFN2020-6 (Type F)
封装/外壳:	6-UDFN Exposed Pad
温度:	-55°C # 150°C (TJ)