DMP2039UFDE-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMP2039UFDE-7 共 6 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.393901 +10：￥0.384497 +30：￥0.378226 +100：￥0.371957	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48.7 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.216727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48.7 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.1025	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48.7 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type E)
DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.649776 +10：￥2.56337	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type E)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥6.122463 +10：￥5.346951 +100：￥4.000009 +500：￥3.142864 +1000：￥2.43538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48.7 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP2039UFDE-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 6.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	48.7 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2530 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	800mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳:	6-PowerUDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）