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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.373984 +10：￥2.191371 +30：￥2.154841 +100：￥2.045275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.19712 +100：￥5.138784 +200：￥3.929184 +300：￥3.33648 +500：￥3.001104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册	+1：￥2.983145 +10：￥2.382145 +30：￥2.11989 +100：￥1.792072 +500：￥1.650018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.66496	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.836341 +6000：￥1.790036 +20000：￥1.759127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.852388 +100：￥2.190227 +1000：￥1.910081 +2000：￥1.795477 +30000：￥1.782743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥2.111508 +1500：￥2.05872 +6500：￥2.023529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.618475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.815946 +6000：￥1.720317 +10000：￥1.592932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3008SFG-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.6 毫欧 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	86 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3690 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	900mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.836341 +6000：￥1.790036 +20000：￥1.759127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.852388 +100：￥2.190227 +1000：￥1.910081 +2000：￥1.795477 +30000：￥1.782743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥2.111508 +1500：￥2.05872 +6500：￥2.023529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.618475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3690 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）