DMN3020UFDF-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMN3020UFDF-7 共 19 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.108343 +10：￥1.023076 +30：￥1.006031 +100：￥0.954875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.564958 +200：￥1.734535 +800：￥1.273283 +3000：￥0.922625 +6000：￥0.876524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.38249 +50：￥1.985489 +150：￥1.588367 +500：￥1.323619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.38249 +50：￥1.985489 +150：￥1.588367 +500：￥1.323619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.64409 +10：￥3.813617 +30：￥3.398381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.202 +50：￥1.046396 +150：￥0.979739 +500：￥0.896473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥1.39875 +50：￥1.062318 +1500：￥0.953334 +3000：￥0.859108 +18000：￥0.844773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.766651 +200：￥1.358473 +1500：￥1.181936 +3000：￥1.026814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.377574 +9000：￥1.330343 +30000：￥1.295035 +33000：￥1.27142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.84254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3020UFDF-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	19 毫欧 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1304 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.03W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.564958 +200：￥1.734535 +800：￥1.273283 +3000：￥0.922625 +6000：￥0.876524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.38249 +50：￥1.985489 +150：￥1.588367 +500：￥1.323619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.38249 +50：￥1.985489 +150：￥1.588367 +500：￥1.323619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥1.39875 +50：￥1.062318 +1500：￥0.953334 +3000：￥0.859108 +18000：￥0.844773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.766651 +200：￥1.358473 +1500：￥1.181936 +3000：￥1.026814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.377574 +9000：￥1.330343 +30000：￥1.295035 +33000：￥1.27142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 8 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1304 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）