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	DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥3.279705 +100：￥2.21793 +800：￥1.628055 +3000：￥1.17975 +6000：￥1.120823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-WLB1010-4 封装/外壳： 4-UFBGA，WLBGA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-WLB1010-4 封装/外壳： 4-UFBGA，WLBGA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-WLB1010-4 封装/外壳： 4-UFBGA，WLBGA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-UFBGA, WLBGA 供应商器件封装： U-WLB1010-4
DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-UFBGA, WLBGA 供应商器件封装： U-WLB1010-4

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 下载数据手册未分类	+1：￥8.836555 +10：￥7.658347 +100：￥5.722721 +500：￥4.502436 +1000：￥3.478517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-WLB1010-4 封装/外壳： 4-UFBGA，WLBGA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1032UCB4-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.454171 +10：￥6.949102 +25：￥6.880001 +100：￥5.291922 +250：￥5.239153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMN1032UCB4-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.516815	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN1032UCB4-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	450 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	900mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-WLB1010-4
封装/外壳:	4-UFBGA，WLBGA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）