DMTH6009LPS-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.76A（Ta），89.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.781333 +5000：￥1.687622 +12500：￥1.562555 +25000：￥1.547114	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.76A（Ta），89.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.357611 +5000：￥4.12837 +12500：￥3.822425 +25000：￥3.784651	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.76A（Ta），89.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.534172 +10：￥9.933806 +100：￥6.880134 +500：￥5.74892 +1000：￥4.892796	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.534172 +10：￥9.933806 +100：￥6.880134 +500：￥5.74892 +1000：￥4.892796	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8 下载数据手册晶体管	+1：￥13.296033 +10：￥11.301629 +100：￥7.811421 +500：￥6.498437 +1000：￥5.251933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.76A（Ta），89.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6009LPS-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥12.389008 +10：￥10.617563 +25：￥10.512801 +100：￥7.285785 +250：￥7.211183	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH6009LPS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.76A（Ta），89.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1925 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）