DMT5015LFDF-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥3.3638 +100：￥2.2748 +800：￥1.6698 +3000：￥1.21 +6000：￥1.1495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 902.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 820mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.47818 +10：￥1.203528 +30：￥1.085896 +100：￥0.93896 +500：￥0.873632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 902.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 820mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.385384 +6000：￥1.296021	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 902.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 820mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.389017 +6000：￥3.170411	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 902.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 820mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.633928 +10：￥8.203006 +100：￥6.121794 +500：￥4.810165 +1000：￥3.716995	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)
DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.026985 +10：￥4.441806 +30：￥4.161097 +100：￥3.863875 +500：￥3.74829	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN 下载数据手册未分类	+1：￥11.436941 +10：￥9.607031 +100：￥7.156259 +500：￥5.685794 +1000：￥4.378716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 902.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 820mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT5015LFDF-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 50V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.114019 +6000：￥2.988373 +9000：￥2.757071 +24000：￥2.73137	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
DMT5015LFDF-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 50V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.564716 +10：￥6.169928 +100：￥5.119761 +500：￥4.444096 +1000：￥3.568696	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
DMT5015LFDF-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 50V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.135365 +10：￥4.934069 +25：￥4.913784 +50：￥4.893499 +100：￥4.305218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT5015LFDF-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	902.7 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	820mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）