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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA113ZEBTL_双极晶体管
DTA113ZEBTL
授权代理品牌

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

+1:

¥0.193842

+200:

¥0.161535

+500:

¥0.129228

+1000:

¥0.10769

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

Digi-Key
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DTA113ZEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

+3000:

¥0.537234

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

DTA113ZEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

+1:

¥2.975184

+10:

¥2.436817

+25:

¥2.040126

+100:

¥0.997395

+250:

¥0.981527

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-89, SOT-490

供应商器件封装: EMT3F (SOT-416FL)

DTA113ZEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-89, SOT-490

供应商器件封装: EMT3F (SOT-416FL)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA113ZEBTL_未分类
DTA113ZEBTL
授权代理品牌

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

未分类

+1:

¥3.787095

+10:

¥3.043702

+100:

¥1.613022

+500:

¥1.065998

+1000:

¥0.729366

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

DTA113ZEBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-89,SOT-490
供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)
温度: